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冷缩BV韦德·(中国)官方网站 BV终端的故障排查与应对方法
发布时间:2019-02-13 | 文章来源:
随着我国经济建设发展,交联聚乙烯BV韦德·(中国)官方网站 BV以便利耐用,被广泛使用。但因为BV韦德·(中国)官方网站 BV终端接头制作引起的毛病却时有发生。以小编多年的工作经验所遇到的BV韦德·(中国)官方网站 BV毛病中,BV韦德·(中国)官方网站 BV终端接头的毛病率高达91%以上,其主要原因就是在BV韦德·(中国)官方网站 BV终端制作过程中的工艺达不到要求。现就一同交联聚乙烯BV韦德·(中国)官方网站 BV冷缩终端检验实验中遇到的问题进行分析和阐明,找出制作的关键环节和处理办法。
一、冷缩BV韦德·(中国)官方网站 BV终端头技术要求
冷缩BV韦德·(中国)官方网站 BV终端头是使用弹性体材料(常用的有硅橡胶和乙丙橡胶)在工厂内打针硫化成型,再经扩径、衬以塑料螺旋支撑物构成各种BV韦德·(中国)官方网站 BV附件的部件。现场装置时,将这些预扩张件套在经过处理后的BV韦德·(中国)官方网站 BV结尾或接头处,抽出内部支撑的塑料螺旋条(支撑物),压紧在BV韦德·(中国)官方网站 BV绝缘上而构成的BV韦德·(中国)官方网站 BV附件。因为它是在常温下靠弹性回缩力,而不是像热缩短BV韦德·(中国)官方网站 BV附件要用火加热缩短,故俗称冷缩短BV韦德·(中国)官方网站 BV附件。早期的冷缩短BV韦德·(中国)官方网站 BV终端头仅仅附加绝缘采用硅橡胶冷缩部件,电场处理仍采用应力锥型式或应力带绕包式。
二、毛病发生经过
2017年10月6日,咱们对220kV某变电站35kV#3电容器进线BV韦德·(中国)官方网站 BV进行检验实验,实验办法采用的是串谐交流耐压,三相一起进行,实验电压为52kV,实验时间应为60分钟,当进行到第14分钟时,发生高压闪络,一起咱们的监护人员在BV韦德·(中国)官方网站 BV的另一端听到很强的“啪”的放电声,随即又试加电压,当加至31.3kV时又发生高压闪络,并听到放电声,然后逐项加压,A相升至45kV无闪络撤退至零,B相36.6kV高压闪络,C相24kV高压闪络,一起在BV韦德·(中国)官方网站 BV另一端听到放电声,因此至少两相有问题。因为咱们的监护人员在BV韦德·(中国)官方网站 BV的另一端听到了很强的放电声,所以咱们首先置疑的是BV韦德·(中国)官方网站 BV终端接头的问题。
三、毛病原因
咱们将BV韦德·(中国)官方网站 BV头拆开发现了在屏蔽层、半导体层与主绝缘过滤处存在直径2厘米的碳状放电痕迹,如图1所示。
那么这种现象是如何发生的呢?根据电场理论,凡是放电,都是因为绝缘承受不了该处的电场强度所形成的,所以,一是绝缘下降,二是电场太强形成的。绝缘下降是因为气隙、受潮和杂质等引起的,电场太强则是因为电场畸变导致的。所以,经过分析可能有以下几种原因:
1、主绝缘间隔不行
经查看发现,在BV韦德·(中国)官方网站 BV头制作时,保留的主绝缘长度不行长,如图2(a)、(b)所示,与配套的冷缩端子相差5.5厘米,因此使绝缘强度下降,导致放电。
2、屏蔽层、铠装层接地不良
屏蔽层和铠装层与接地织造线触摸不良,是发生放电的可能原因。
3、主绝缘外表存在划痕、毛刺、半导体等
BV韦德·(中国)官方网站 BV半导体、屏蔽层剥切后,刀痕过深或没有铲除干净,其半导体残留在主绝缘层上,或清洗时没有遵从工艺要求,来回擦拭,留下危险,发生闪络放电。
4、半导体层与屏蔽层、绝缘层之间压接不紧,留有气隙,发生气泡,导致放电。
5、冷缩硅胶套管是预制成型附件,必须与BV韦德·(中国)官方网站 BV截面相配套
做接头前若没有仔细查看是否配套,必然形成缩短不严密而不能确保界面压强,导致杂质、侵入气隙或受潮。
四、防备对策及处理
1、制作前,首先应查看BV韦德·(中国)官方网站 BV附件与BV韦德·(中国)官方网站 BV是否匹配,这样才能严格控制冷缩硅橡胶绝缘套管的过盈量,确保其有满足的握紧力,使界面触摸严密,没有气隙。
2、BV韦德·(中国)官方网站 BV头制作时,应严格按照装置使用阐明的要求,即铜屏蔽、半导电层、主绝缘和线芯的长度均按照装置工艺的要求切开和截取,确保应力锥的效果。
3、为了防止屏蔽层、铠装层接地不良的问题,在装置时,应确保铜屏蔽和铠装的清洁,用恒力绷簧将铜织造线卡在铜屏蔽和铠装上,并用PVC带包好恒力绷簧,然后再绕一层填充胶带,并将接地铜织造线夹在中间,后面再在填充胶外绕一层橡胶带。
4、在制作过程中,应控制用力,尽量防止BV韦德·(中国)官方网站 BV主绝缘、半导体、屏蔽层在剥切后刀痕过后或没有铲除干净。所以使用砂纸打磨绝缘层外表,除去绝缘层外表的划伤、凹坑或残留半导体层,并除去压接线端子导致棱角的毛刺,用清洁巾将BV韦德·(中国)官方网站 BV绝缘外表清洗干净,待清洗剂蒸发后,将硅脂均匀涂在绝缘层外表,这样可确保消除因为刀痕过深和半导体残留物留下的危险,防止闪络放电。
5、为了防止半导体层与屏蔽层、绝缘层之间压接不紧,留有气隙,发生气泡放电的现象,咱们的对策是在铜屏蔽带上约1—2毫米厚的半导电带,并用少数半导电带将铜屏蔽与外半导电层的台阶覆盖住。半导电层结尾用刀具倒角,使半导电层与绝缘层滑润过渡。
按以上对策处理后,耐压实验一次性经过。